Học viện Khoa học và Công nghệ thông báo buổi bảo vệ luận án tiến sĩ cấp Học viện của nghiên cứu sinh Đoàn Thị Oanh

Tên đề tài: “Nghiên cứu làm sạch CO2 từ khí thải đốt than bằng kĩ thuật Xúc tác - Hấp phụ để làm nguồn cac bon nuôi vi khuẩn lam Spirulina platensis giàu dinh dưỡng”

Chuyên ngành: Kỹ thuật môi trường. Mã số: 9 52 03 20.

Thời gian: 09h00, Thứ Hai, ngày 08 tháng 07 năm 2019

Địa điểm: Phòng họp tầng 17 (Phòng 1705);

Tòa nhà Ươm tạo Công nghệ - A28; Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam,

18 Hoàng Quốc Việt, Cầu Giấy, Hà Nội.

Trân trọng kính mời các nhà khoa học quan tâm đến dự./.